根据韩国媒体报道，尽管全球经济低迷，但由于IC设计公司和晶圆代工厂对光掩膜的需求强劲，使得光掩膜的短缺现象目前仍在持续。

消息人士称，光掩膜制造商增加的产能不足，难以满足需求，2024年商品价格上涨将不可避免。

光掩膜需求上升，厂商积极布局

资料显示，半导体制造环节中所需的材料多达数百种，按照类别划分主要包括硅片、光掩膜、光刻胶及配套试剂、电子气体、工艺化学品、溅射靶材、抛光材料等，光掩膜虽然在其中占比虽然没有硅片高，但其重要性同样不容忽视。

光掩膜的作用主要体现在半导体生产工艺的光刻环节，掩膜上印有集成电路的图形、工艺等信息，光刻机将这些图形曝光在涂有光刻胶的晶圆上，然后经过显影、清洗等步骤，就能把图形转移到晶圆上。

由于芯片内部结构复杂，一层掩膜难以包含全部电路信息，所以往往需要多层掩膜协助生产，随着芯片制程日益先进，电路图案也更加精细，所需的掩膜层数也就越来越高。例如，成熟制程可能需要30层光掩膜，而在最新的先进制程中则可能需要多达70到80个光掩膜来处理。

因此，随着晶圆代工厂商不断发力先进制程工艺，光掩膜需求将随之增加。

目前全球光掩膜市场格局以海外厂商占主导地位，同时国内厂商也在积极布局。

海外厂商中，包括凸版印刷（Toppan）、Photronics和DaiNippon Printing的工厂当前的产能利用率都维持在100%。凸版印刷公司在其最新单季财报（7月至9月）中表示，预计2023年对光掩膜的强劲需求将持续，该公司计划通过其全球生产设施扩大其光掩膜产能。DaiNippon Printing也在4月至9月期间的半年财报中看好未来市况。

国内厂商方面，今年11月，冠石科技对外表示，公司投资建设的光掩膜版项目目前处于建设阶段，首批设备交付后预计2025年公司即可实现45nm光掩膜版的量产，待全部设备交付后预计2028年可实现28nm光掩膜版的量产。待项目全部建成以后，将具备年产12,450片半导体光掩膜版的生产能力，产品制程覆盖350-28nm（其中以45-28nm成熟制程为主）。

此前10月，清溢光电对外透露，半导体芯片掩膜版技术方面，公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证及量产，同步开展130nm-65nm半导体芯片掩膜版的工艺研发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。

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封面图片来源：拍信网