5月12日，科友半导体宣布，公司自主研发出两种不同加热方式的PVT法晶体生长炉，完成了国产自主1至4代感应炉和1至3代电阻炉的研发，形成大尺寸低成本碳化硅产业化制备系列技术，并实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货，向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料及技术服务等全产业链的解决方案。

突破如下：热场及耗材国产化率达到95%以上；长晶良率达到80%以上，晶体厚度达到40mm以上；打破传统碳化硅粘接籽晶技术的限制；突破了大尺寸8英寸碳化硅单晶制备的关键技术；超强的兼容性；已申请专利129项，目前授权专利61项。

资料显示，科友半导体成立于2018年5月，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域，已形成自主知识产权，实现先进技术自主可控。

科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。